12-300V N MOSFET
30-120V N-Channel SGT-II MOSFET概覽
新潔能提供擊穿電壓等級范圍為30V至120V的N溝道SGT-II系列功率MOSFET 產品超低的導通電阻（RDS(on)）與超低柵極電荷（Qg）的特點，結合先進輕巧緊湊的封裝進一步提高了系統的功率密度與能量轉換效率。同時，面向性能與魯棒性要求極為苛刻的低頻應用，新潔能N溝道SGT-II系列產品進一步優化了大電流關斷能力與靜電防護能力，可滿足包括直流電機驅動、鋰電池保護、AC/DC同步整流等廣泛應用。此外，相比于新潔能上一代SGT-I系列產品，SGT-II系列產品特征導通電阻Ron,sp 降低20%，FOM值進降低20%，為設計人員進一步提高系統效率提供了更優的選擇。
N溝道SGT-II系列功率MOSFET封裝范圍包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多種封裝，為設計人員定制化提供更加豐富靈活的選擇。
注："SGT MOSFET"又稱“Super Trench MOSFET”。